Компания Qualcomm анонсировала выпуск своего нового флагманского чипсета Snapdragon 835, перепрыгнув через долгожданный Snapdragon 830. На презентации чипмейкер удивил всех, так как заявил, что производством процессоров SD 835 для Qualcomm займется корейская компания Samsung на своей линии с применением 10 нанометрового технологического процесса FinFET. Использование 10 нм тех. процесса позволит процессору быть на несколько шагов впереди, чем существующие на сегодня решения, как по мощности, так и по минимальному уровню потребляемой энергии.
Производительность
Qualcomm Snapdragon 835 на 27% мощнее и производительнее, чем Snapdragon 821 построенный на базе 14 нм тех. процессора. Также новый чип потребляет на целых 40% меньше заряда батареи, чем его предшественник в одних и тех же задачах. Конечно, сильного буста в автономности смартфонов на базе Snapdragon 835 ждать не стоит, так как многое зависит еще и от дисплея, как самого ресурсоемкого элемента в потреблении заряда батареи телефона.
Quick Charge 4.0
Также новый SoC получит поддержку более продвинутой технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Компания сообщает, что аккумулятор средней емкости (3000 мАч) будет заряжаться до 50% за 5 минут. Всего пять минут требуется QC 4.0, чтобы обеспечить смартфону 5 часов работы, это очень полезная фишка и отличительная черта Snapdragon 835. По сравнению с Quick Charge 3.0 обновленная QC 4.0 на 20% быстрее и на 30 процентов эффективнее заряжает батареи современных смартфонов.
Одной из главных проблем быстрых зарядок является быстрый износ батареи и перегревание корпуса во время заряда. Благодаря применении технологии INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), процессор Snapdragon 835 будет отслеживать температуру и регулировать скорость зарядки. Также стоит отметить, что этот стандарт совместим не только с micro USB но и с новыми портами USB Type-C.
Характеристики Snapdragon 835
- количество ядер: 8 ядер Kryo 280 CPU
- графическая система Adreno 540 GPU
- максимальная тактовая частота — 2.45 ГГц
- минимальная тактовая частота — 1.9 ГГц
- тех. процесс 10 нм FinFET
- быстрая зарядка Quick Charge 4.0
- X16 LTE модем с поддержкой Cat.6 LTE
- новейший Bluetooth 5.0
- поддержка USB-C Power Delivery
Первые смартфоны на базе Snapdragon 835 мы увидим в 2017 году. Не исключено, что образцы появятся на выставке MWC 2017.
Характеристики то где?
новость будет дополняться, спасибо!
Не только у вас заметил такую формулировку, видимо она из пресс-релиза, но вот что она значит?
«QC 4.0 на 20% быстрее и на 30 процентов эффективнее заряжает батареи современных смартфонов.» — что значит на 30% эффективнее?)))) есть идеи?))))
Скорее всего речь идет о КПД зарядки, что потери энергии при передаче на 30% меньше, чем у предыдущей QC 3.0!
[…] анонса Snapdragon 835, процессор Snapdragon 821 являлся самым мощным в линейке […]